买卖IC网 >> 产品目录 >> T1G6001528-Q3-EVB1 射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

T1G6001528-Q3-EVB1

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频GaAs晶体管
描述 射频GaAs晶体管 DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB EVAL BRD
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制造商 TriQuint Semiconductor
技术类型 HEMT
频率 6 GHz
增益 11.5 dB
噪声系数
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
漏源电压 VDS 28 V
闸/源击穿电压 - 3.7 V
漏极连续电流 1.5 A
最大工作温度 + 150 C
功率耗散 26 W
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 EAR99
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属性
链接
代理商 T1G6001528-Q3-EVB1
T1G6003028
T1G6003028-FS
T1G6003028-SP
T1L2003028-SP28V
T1N80E
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上海鑫科润电子科技有限公司 18521007236 鑫科润
  • T1G6001528-Q3-EVB1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
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